碳化硅是由美(mei)國(guo)人艾奇(qi)遜在1891年電(dian)熔金剛石(shi)實驗時，在實驗室(shi)偶然發現(xian)的(de)一(yi)種碳化物(wu)，當時誤認為是金剛石(shi)的(de)混合(he)(he)體，故(gu)取名金剛砂，1893年艾奇(qi)遜研(yan)究出來(lai)了(le)工業(ye)冶煉碳化硅的(de)方法(fa)，也就是大家常(chang)說的(de)艾奇(qi)遜爐，一(yi)直沿用至今，以碳質材料(liao)為爐芯體的(de)電(dian)阻爐，通電(dian)加熱(re)石(shi)英SIO2和碳的(de)混合(he)(he)物(wu)生(sheng)成碳化硅。

關于碳化硅(gui)的幾個(ge)事(shi)件

   1905年 *次在隕石中發現碳化硅

   1907年 *只碳(tan)化硅(gui)晶體發光二極管誕生

   1955年(nian) 理論和技術(shu)上重大突破，LELY提出生長高品質碳化概念，從(cong)此將SiC作為重要的電子材料

   1958年 在波(bo)士頓(dun)召開(kai)*次*碳化硅會議進行學術(shu)交(jiao)流(liu)

   1978年(nian) 六、七十(shi)年(nian)代碳化(hua)硅主要由(you)前蘇聯進行研(yan)究。到(dao)1978年(nian)首次采用“LELY改進技術”的晶粒提(ti)純(chun)生(sheng)長方法

   1987年～至今以CREE的(de)研究成果建立(li)碳(tan)化硅生產線(xian)，供應商開(kai)始(shi)提供商品化的(de)碳(tan)化硅基